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          >人物風采>女院士風采
          吳德馨
          2019-07-10

          吳德馨(1936-),女,半導體器件和集成電路專家。1936年12月20日生于河北樂亭。1961年畢業于清華大學無線電電子工程系。中國科學院微電子中心研究員。

          60年初,作為主要負責人之一,在國內首先研究成功硅平面型高速開關晶體管,所提出的提高開關速度的方案被廣泛采用,并向全國推廣。六十年代末期研究成功介質隔離數字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路。70年代末研究成功MOS4K位動態隨機存儲器。在國內首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術用于大規模集成電路的研制,并進行了提高成品率的研究。首先在國內突破了LSI低下的局面。隨后又相繼研究成功16K位和64K位動態隨機存儲器。開發成功雙層多晶硅和差值氧化工藝,獨創了檢測腐蝕接觸孔質量的露點法。80年代末期自主開發成功3微米CMOSLSI全套工藝技術,用于專用電路的制造。研制成功多種專用集成電路并研究開發成功VDMOS系列功率場效應器件和砷化嫁異質結高電子遷移率晶體管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術,和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。目前正在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究。

          從事半導體器件與集成電路的研究與開發,曾獲國家和中科院一等獎3項。1992年被國家科委聘為“深亞微米結構器器件和介觀物理”項目首席科學家。在國內率先提出了利用MEMS結構實現激光器和光纖的無源耦合。并研究成功工作速率達10Gbps的光發射模塊。其中“先進的深亞微米工藝技術及新型器件”獲2003年北京市科學技術一等獎。開展了12項課題的研究。為介觀物理基礎和新結構器件的進一步研究打下基礎。作為工藝負責人研究成功N溝MOS4K、16K動態隨機存儲器和成品率的提高。獨創了檢驗接觸孔質量的露點檢測法。并推廣到上海器件五廠。分別獲得1980和1981年中科院科技成果一等獎兩次。負責平面型高速開關管的研究,獨立解決了提高開關速度的關鍵問題,并推廣至上海器件五廠和109廠,為兩彈一星采用的109計算機提供器件基礎。獲國家新產品一等獎。2004年,獲何梁何利技術科學獎。

          1991當選為中國科學院院士(學部委員)。




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